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大明化學(xué)氧化鋁粉在電子制造行業(yè)的需求及優(yōu)勢

發(fā)布時間:2024-09-07 點擊量:281

大明化學(xué)氧化鋁粉在電子制造行業(yè)的需求及優(yōu)勢
精細(xì)氧化鋁粉體通過對工業(yè)原材料的精密加工以適應(yīng)不同行業(yè)的應(yīng)用需求,其主要以工業(yè)氧化鋁為原料,通過提純、煅燒、研磨、均化、分級等加工工序,控制粉體晶體形貌、晶相轉(zhuǎn)化率、粒徑與分布、敏感特定元素、表面性能及活性等技術(shù)指標(biāo),使其具備絕緣、耐高溫、高導(dǎo)熱及化學(xué)性能穩(wěn)定等特點,可滿足不同下游領(lǐng)域的具體材料應(yīng)用需求。目前,精細(xì)氧化鋁粉體作為電子材料的應(yīng)用越來越受到重視,是生產(chǎn)電子陶瓷器件、電子玻璃、鋰電池隔膜、高壓電器、晶圓研磨拋光材料等產(chǎn)品的重要基礎(chǔ)材料,終端應(yīng)用覆蓋了集成電路、消費電子、電力工程、電子通訊、新能源汽車、平板顯示、光伏發(fā)電等多個國家大力發(fā)展的重點領(lǐng)域。

電子陶瓷是指應(yīng)用于電子工業(yè)中制備各種電子元器件的陶瓷材料,主要以氧化物或氮化物粉末等無機(jī)非金屬材料為主要成分進(jìn)行燒結(jié),通過結(jié)構(gòu)設(shè)計、精確的化學(xué)計量、合適的成型方法和燒成制度,使其具備機(jī)械強(qiáng)度高、絕緣電阻高、耐高溫高濕、抗輻射、電容量變化率可調(diào)整等優(yōu)良特性。其中,精細(xì)氧化鋁是生產(chǎn)電子陶瓷基片、陶瓷封裝材料、電真空管殼、HTCC陶瓷等電子陶瓷元器件的主材之一,亦是生產(chǎn)MLCC等陶瓷產(chǎn)品的輔助材料。

電子陶瓷器件對尺寸精度、絕緣性、強(qiáng)度、密度等指標(biāo)要求高,生產(chǎn)流程長且復(fù)雜,在材料、工藝、設(shè)備等方面形成較高壁壘,尤其是電子陶瓷粉體配置尤為重要,粉體配方中純度、顆粒大小、化學(xué)成分、結(jié)構(gòu)分布等的細(xì)微改變都可能影響到電子陶瓷器件的電性能、強(qiáng)度、密度、抗衰、耐磨性等,而精細(xì)氧化鋁粉體是大部分電子陶瓷粉體配方中的主材,因此精細(xì)氧化鋁粉體的質(zhì)量和穩(wěn)定性直接決定了電子陶瓷器件的質(zhì)量和可靠性。


Taimicron是采用戴美化學(xué)多年培育的鋁化合物合成技術(shù)生產(chǎn)的高純度、超細(xì)精細(xì)陶瓷粉末。 Taimicron是基于2(OH)3AlCO4
銨鈉鋁石(NH

太微米生成過程

目的

  • 高強(qiáng)耐磨材料
    人造骨、牙科材料、軸承等。

  • 電子材料
    IC基板、半導(dǎo)體制造夾具、傳感器等

  • 光學(xué)材料
    透光陶瓷、紅寶石、YAG等

  • 其他
    各種填料、合成尖晶石、催化劑載體等


低溫?zé)Y(jié)氧化鋁

燒結(jié)用太微粉是一種高純度α-氧化鋁粉末,由于其初級顆粒細(xì)小且單晶,可以在極低的溫度下燒結(jié)致密化。

■特點

  • 99.99%以上的高純度超細(xì)粉。

  • 它在低溫下燒結(jié)并致密化。
    經(jīng)過1250℃至1300℃燒成,致密化至理論密度的98%以上。

  • 可以獲得表現(xiàn)出氧化鋁原有性能的優(yōu)異燒結(jié)體。
    陶瓷具有高強(qiáng)度、高硬度、優(yōu)異的耐磨性和耐腐蝕性。

  • 可以容易地獲得半透明陶瓷
    可以通過HIP燒結(jié)等獲得半透明陶瓷。

■典型特性值

年級超濾膜TM-DATM-DARTM-5D
晶型α-氧化鋁α-氧化鋁α-氧化鋁α-氧化鋁
BET比表面積平方米/克17.012.513.59.0
一次粒徑*1微米0.090.120.120.20
靜態(tài)堆積密度克/立方厘米0.80.80.90.8
振實密度克/立方厘米1.00.91.01.1
成型密度*2克/立方厘米2.32.22.32.3
燒結(jié)密度克/立方厘米3.93 *33.95 *43.96 *43.93 *5

*1:根據(jù)SEM照片測量 *2:單軸壓制成型(98MPa)
*3:1250℃ *4:1350℃ *5:1400℃(在空氣中各燒成1小時)

過渡型氧化鋁

主相為γ和θ的氧化鋁。

■特點

  • 具有極細(xì)顆粒和大比表面積的粉末。

  • 它具有高活性和優(yōu)異的反應(yīng)活性。

■典型特性值

年級TM-100TM-300TM-100DTM-300D
晶型θ-氧化鋁γ-氧化鋁θ-氧化鋁γ-氧化鋁
BET比表面積平方米/克120220120200
一次粒徑*1微米0.0140.0070.0140.010
靜態(tài)堆積密度克/立方厘米0.150.050.400.40
振實密度克/立方厘米0.180.080.600.60

*1:根據(jù) BET 值計算




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